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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Puntuación global
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
52
En -68% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.6
2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.7
1,145.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
4200
En 6.1 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
31
Velocidad de lectura, GB/s
2,614.5
20.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,145.9
14.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
25600
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
409
3367
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
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