RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Compara
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
29
En 10% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.9
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
29
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
12.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2070
3273
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link