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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Comparar
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
29
Por volta de 10% menor latência
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.9
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
29
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
12.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2070
3273
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparações de RAM
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Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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