RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Comparez
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Note globale
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
29
Autour de 10% latence réduite
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.9
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
29
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2070
3273
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link