Comparación de la memoria RAM Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB vs Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB vs Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB

Puntuación global

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

19200 17000

En 1.13% mayor ancho de banda

Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

23 37

En -61% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

17.3 16

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

13.2 12.6

Valor medio en las pruebas

Lista completa de especificaciones técnicas

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB

Principales características

Other

Descripción

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2808 3233

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns