Comparación de la memoria RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Puntuación global

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

26 39

En 33% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

12.3 11.7

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

7.4 7.2

Valor medio en las pruebas

Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Lista completa de especificaciones técnicas

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj

7-7-7-20 / 1333 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

1678 1749

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns