Comparaison de la RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Note globale

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

26 39

Autour de 33% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

12.3 11.7

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

7.4 7.2

Valeur moyenne dans les tests

Raisons de considérer
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Liste complète des spécifications techniques

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Timings / Vitesse d'horloge

7-7-7-20 / 1333 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

1678 1749

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns