RAM-Vergleich Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Gesamtnote

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

26 39

Rund um 33% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

12.3 11.7

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

7.4 7.2

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Timings / Taktgeschwindigkeit

7-7-7-20 / 1333 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

1678 1749

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns