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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology DQVE1A16 1GB
Compara
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs A-DATA Technology DQVE1A16 1GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQVE1A16 1GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
58
62
En 6% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQVE1A16 1GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,118.4
1,950.7
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology DQVE1A16 1GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR2
Latencia en PassMark, ns
58
62
Velocidad de lectura, GB/s
4,241.0
4,172.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,950.7
2,118.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
6400
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
651
753
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
A-DATA Technology DQVE1A16 1GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
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