RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology DQVE1A16 1GB
Comparez
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs A-DATA Technology DQVE1A16 1GB
Note globale
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Note globale
A-DATA Technology DQVE1A16 1GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
58
62
Autour de 6% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQVE1A16 1GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,118.4
1,950.7
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology DQVE1A16 1GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR2
Latence dans PassMark, ns
58
62
Vitesse de lecture, GB/s
4,241.0
4,172.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,950.7
2,118.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
6400
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
651
753
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
A-DATA Technology DQVE1A16 1GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link