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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology DQVE1A16 1GB
Confronto
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs A-DATA Technology DQVE1A16 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DQVE1A16 1GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
58
62
Intorno 6% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
A-DATA Technology DQVE1A16 1GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,118.4
1,950.7
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology DQVE1A16 1GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR2
Latenza in PassMark, ns
58
62
Velocità di lettura, GB/s
4,241.0
4,172.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,950.7
2,118.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
6400
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
651
753
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
A-DATA Technology DQVE1A16 1GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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