Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 16G3200CL22 16GB

Puntuación global

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Puntuación global

Micron Technology 16G3200CL22 16GB

Micron Technology 16G3200CL22 16GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Informar de un error

Mayor velocidad de escritura, GB/s

7.5 7.3

Valor medio en las pruebas

Micron Technology 16G3200CL22 16GB

Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16G3200CL22 16GB

Informar de un error

Mayor velocidad de lectura, GB/s

14 12.7

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

25600 8500

En 3.01 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Micron Technology 16G3200CL22 16GB

Principales características

Tipo de memoria

DDR3 DDR4
Latencia en PassMark, ns

28 28
Velocidad de lectura, GB/s

12.7 14.0
Velocidad de escritura, GB/s

7.5 7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps

8500 25600

Other

Descripción

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj

7-7-7-20 / 1066 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

1988 2663

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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