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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB

Puntuación global
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Puntuación global
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SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB

SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.0 left arrow 8.4
    Valor medio en las pruebas
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB Razones a tener en cuenta
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    14 left arrow 12.8
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 10600
    En 1.6 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    26 left arrow 26
  • Velocidad de lectura, GB/s
    12.8 left arrow 14.0
  • Velocidad de escritura, GB/s
    9.0 left arrow 8.4
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2143 left arrow 2163

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM

Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB

SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB Comparaciones de la memoria RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
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Memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
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Memoria RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
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Memoria RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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