RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
8.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14
12.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
26
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
14.0
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
8.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2163
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link