RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Compara
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
47
En -104% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
10.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.7
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
23
Velocidad de lectura, GB/s
10.4
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2169
2790
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link