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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Inmos + 256MB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Inmos + 256MB

Puntuación global
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Puntuación global
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Inmos + 256MB

Inmos + 256MB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Informar de un error
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    3 left arrow 11.5
    Valor medio en las pruebas
Inmos + 256MB Razones a tener en cuenta
Inmos + 256MB
Informar de un error
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    30 left arrow 104
    En -247% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.1 left arrow 2,404.5
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    16800 left arrow 6400
    En 2.63 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Inmos + 256MB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    104 left arrow 30
  • Velocidad de lectura, GB/s
    3,192.0 left arrow 11.5
  • Velocidad de escritura, GB/s
    2,404.5 left arrow 9.1
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    6400 left arrow 16800
Other
  • Descripción
    PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    no data left arrow no data
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    786 left arrow 2318

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM

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Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB

Inmos + 256MB Comparaciones de la memoria RAM

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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Memoria RAM
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