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Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
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Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB vs G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Puntuación global
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
15.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
10.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
35
En -9% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
32
Velocidad de lectura, GB/s
15.7
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2767
2706
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
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