RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Porównaj
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB vs G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
10.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
35
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
32
Prędkość odczytu, GB/s
15.7
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2767
2706
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link