RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
30
En -20% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.3
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
8500
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
25
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
18.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
17000
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
3731
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link