Comparación de la memoria RAM Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Puntuación global

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

30 37

En 19% menor latencia

Razones a tener en cuenta
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

16 10.6

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

12.6 6.8

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

19200 8500

En 2.26 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj

7-7-7-20 / 1066 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

1479 2808

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns