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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
79
En 62% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.9
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
79
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
1710
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
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