RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Comparez
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Note globale
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
79
Autour de 62% latence réduite
Raisons de considérer
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.7
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.9
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
8500
Autour de 2.26 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
79
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
19200
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1479
1710
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link