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SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Compara
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB vs Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
38
En 24% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.6
6.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.8
3.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
12800
8500
En 1.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
29
38
Velocidad de lectura, GB/s
6.9
12.6
Velocidad de escritura, GB/s
3.8
8.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
12800
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
865
2174
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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