RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB vs Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
38
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.6
6.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
3.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
12800
8500
Wokół strony 1.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
29
38
Prędkość odczytu, GB/s
6.9
12.6
Prędkość zapisu, GB/s
3.8
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
12800
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
865
2174
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link