RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D081-805U 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Compara
takeMS International AG TMS2GB264D081-805U 2GB vs Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Puntuación global
takeMS International AG TMS2GB264D081-805U 2GB
Puntuación global
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
takeMS International AG TMS2GB264D081-805U 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
46
56
En 18% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,122.7
1,813.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D081-805U 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR2
Latencia en PassMark, ns
46
56
Velocidad de lectura, GB/s
4,831.7
4,387.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,122.7
1,813.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
6400
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
773
693
takeMS International AG TMS2GB264D081-805U 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D081-805U 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link