RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Comparez
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Note globale
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Note globale
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
19.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
52
Autour de -86% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
1,145.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
4200
Autour de 5.07 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
28
Vitesse de lecture, GB/s
2,614.5
19.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,145.9
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
4200
21300
Other
Description
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
409
3650
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332S 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link