RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wynik ogólny
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
19.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
52
Wokół strony -86% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
1,145.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
4200
Wokół strony 5.07 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,614.5
19.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,145.9
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
21300
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
409
3650
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link