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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Comparez
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Note globale
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Note globale
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
44
Autour de 18% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.8
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.7
5.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
44
Vitesse de lecture, GB/s
14.8
8.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.7
5.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2481
1660
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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