RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
44
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
8.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
5.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
44
Prędkość odczytu, GB/s
14.8
8.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.7
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2481
1660
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link