RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Comparar
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Pontuação geral
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
44
Por volta de 18% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.8
8.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.7
5.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
44
Velocidade de leitura, GB/s
14.8
8.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.7
5.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2481
1660
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB Comparações de RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology C 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link