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OCZ OCZ2P11502G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
Comparez
OCZ OCZ2P11502G 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
Note globale
OCZ OCZ2P11502G 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
OCZ OCZ2P11502G 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
3,658.9
2,169.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
56
66
Autour de -18% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
OCZ OCZ2P11502G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR2
Latence dans PassMark, ns
66
56
Vitesse de lecture, GB/s
5,201.6
4,680.1
Vitesse d'écriture, GB/s
3,658.9
2,169.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
6400
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
860
779
OCZ OCZ2P11502G 2GB Comparaison des RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB Comparaison des RAM
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U72BP8-Y5 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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