Confronto tra le RAM OCZ OCZ2P11502G 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB

OCZ OCZ2P11502G 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB

Punteggio complessivo

OCZ OCZ2P11502G 2GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
OCZ OCZ2P11502G 2GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

5 4

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

3,658.9 2,169.5

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

56 66

Intorno -18% latenza inferiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

OCZ OCZ2P11502G 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Temporizzazioni / Velocità di clock

5-5-5-15 / 800 MHz 5-5-5-15 / 800 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

860 779

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns