RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
17.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
58
Autour de -107% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.3
1,950.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
58
28
Vitesse de lecture, GB/s
4,241.0
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,950.7
15.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
651
3673
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link