RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Confronto
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
58
Intorno -107% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.3
1,950.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
58
28
Velocità di lettura, GB/s
4,241.0
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,950.7
15.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
651
3673
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
INTENSO 5641152 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link