RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
58
Wokół strony -107% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
3673
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link