RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Comparez
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Note globale
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
34
Autour de 12% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.3
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.7
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
8500
Autour de 2.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
34
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
11.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
21300
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1479
2962
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link