RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Comparez
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Note globale
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
42
Autour de 29% latence réduite
Raisons de considérer
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.9
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.7
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
8500
Autour de 3.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
42
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
12.9
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
9.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
25600
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1479
2735
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link