RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Comparez
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Note globale
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
42
Autour de 29% latence réduite
Raisons de considérer
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.9
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.7
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
8500
Autour de 3.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
42
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
12.9
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
9.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
25600
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1479
2735
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link