RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
42
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.9
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
8500
Wokół strony 3.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
42
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
12.9
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
25600
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2735
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Kingston 9905469-144.A00LF 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link