RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Comparez
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Note globale
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Note globale
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
16.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
42
77
Autour de -83% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
1,884.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
42
Vitesse de lecture, GB/s
2,936.9
16.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,884.0
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
564
3072
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link