RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Confronto
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Punteggio complessivo
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
16.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
52
Intorno -79% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.8
1,145.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
4200
Intorno 5.07 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
29
Velocità di lettura, GB/s
2,614.5
16.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,145.9
13.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
4200
21300
Other
Descrizione
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
409
3285
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link