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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Confronto
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Punteggio complessivo
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Punteggio complessivo
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
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Motivi da considerare
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.6
12.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
26
Velocità di lettura, GB/s
12.6
14.6
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2174
3124
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
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