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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Confronto
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Punteggio complessivo
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Punteggio complessivo
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
35
Intorno 26% latenza inferiore
Motivi da considerare
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
12.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.9
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
35
Velocità di lettura, GB/s
12.6
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
11.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2174
2903
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
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