RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
35
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
35
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2903
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link