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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Confronto
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Punteggio complessivo
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
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Motivi da considerare
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.4
12.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.7
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
26
Velocità di lettura, GB/s
12.6
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
11.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2174
2806
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Confronto tra le RAM
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-GEN D4H4GS24A8 4GB
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
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