Confronto tra le RAM Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Punteggio complessivo

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

4 16

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

2,378.6 12.6

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

37 62

Intorno -68% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

19200 6400

Intorno 3 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

861 2808

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns