Confronto tra le RAM Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Punteggio complessivo

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Motivi da considerare
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

31 62

Intorno -100% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

15.5 1,843.6

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

25600 6400

Intorno 4 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock

5-5-5-15 / 800 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

542 3649

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns