Confronto tra le RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64EP8-Y5 1GB vs Samsung M3 78T2863DZS-CE6 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64EP8-Y5 1GB vs Samsung M3 78T2863DZS-CE6 1GB

Punteggio complessivo

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64EP8-Y5 1GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64EP8-Y5 1GB

Velocità di scrittura più elevata, GB/s

1,785.9 1,728.0

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863DZS-CE6 1GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

61 62

Intorno -2% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

3 3

Valore medio nei test

Elenco completo delle specifiche tecniche

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64EP8-Y5 1GB

Samsung M3 78T2863DZS-CE6 1GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Temporizzazioni / Velocità di clock

5-5-5-15 / 667 MHz 5-5-5-15 / 667 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

555 575

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns