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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64EP8-Y5 1GB
Samsung M3 78T2863DZS-CE6 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64EP8-Y5 1GB vs Samsung M3 78T2863DZS-CE6 1GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64EP8-Y5 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64EP8-Y5 1GB

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Samsung M3 78T2863DZS-CE6 1GB

Samsung M3 78T2863DZS-CE6 1GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64EP8-Y5 1GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64EP8-Y5 1GB
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  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    1,785.9 left arrow 1,728.0
    テスト平均値
Samsung M3 78T2863DZS-CE6 1GB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T2863DZS-CE6 1GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    61 left arrow 62
    周辺 -2% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 3
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64EP8-Y5 1GB
Samsung M3 78T2863DZS-CE6 1GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR2
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    62 left arrow 61
  • 読み出し速度、GB/s
    3,585.4 left arrow 3,734.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,785.9 left arrow 1,728.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 5300
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 5-5-5-15 / 667 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    555 left arrow 575

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