RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Confronto
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
47
Intorno 40% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.8
10
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
7.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
47
Velocità di lettura, GB/s
12.8
10.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
7.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2226
2308
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB Confronto tra le RAM
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link