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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Motivi da considerare
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
25
Intorno -9% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.6
16.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.0
10.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
23
Velocità di lettura, GB/s
16.1
16.6
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
13.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
2548
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905701-011.A00G 16GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
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